|
По сравнению с предыдущей транзисторной технологией MDmesh II, в
технологии MDmesh V изменена структура вставок, уменьшен шаг их
следования, применен более эффективный диффузионный процесс, повышен
уровень легирования n-области.
Снижение сопротивления канала в транзисторах технологии MDmesh V позволяет
существенно снизить потери в схемах коррекции коэффициента мощности и в
первичных преобразователях напряжения питания. Это, в свою очередь,
позволяет повысить эффективность преобразователей и корректоров, уменьшить
габариты устройств за счет меньших размеров радиаторов и уменьшения
площади печатной платы.
В каждой из технологий производства транзисторов компания
STMicroelectronics представляет серии на различные диапазоны напряжений,
высоковольтные версии транзисторов, а также транзисторы с диодами с малым
временем восстановления.
Некоторые параметры транзисторов
STMicroelectronics различных технологий
представлены в таблицах 1...7.
Таблица 1. Параметры
транзисторов технологии SuperMesh3
Максимальное
напряжение, UDSS, В |
Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом |
Наименование |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
450 |
3,5 |
STx3N45K3 |
SOT-223/SO-8/IPAK |
|
525 |
2,6 |
STx4N52K3 |
TO-220/FP/TO-247/DPAK |
|
1,5 |
STx5N52K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK |
|
1,2 |
STx6N52K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK |
|
0,98 |
STx7N52K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK |
|
1,15 |
STx7N52DK3 |
TO-220/FP/DPAK |
|
620 |
3 |
STx2N62K3 |
TO-220/FP/DPAK/IPAK |
|
2,5 |
STx3N62K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK |
|
2,0 |
STx4N62K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK/PowerFLAT_5x6 |
|
1,6 |
STx5N62K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK |
|
1,28 |
STx6N62K3 |
TO-220/FP/DPAK/D2PAK/IPAK/I2PAK/PowerFLAT_5x6_HV |
|
0,75 |
STx10N62K3 |
TO-220/FP/I2PAK |
|
0,38 |
STx17N62K3 |
TO-220/FP/TO-247 |
|
650 |
1 |
STx10N65K3 |
TO-220/FP |
Таблица 2. Параметры
транзисторов технологии MDmesh II
Максимальное
напряжение, UDSS, В |
Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом |
Наименование |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
500 |
0,790 |
STx8NM50N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,630 |
STx10NM50N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,470 |
STx11NM50N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,320 |
STx14NM50N |
D2PAK,DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,250 |
STx19NM50N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,190 |
STx23NM50N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,158 |
STx28NM50N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,043 |
STW60NM50N |
TO-247 |
|
0,022 |
STY105NM50N |
Max247 |
|
600 |
0,900 |
STx7NM60N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,745 |
STx9NM60N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,550 |
STx10NM60N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,600 |
STx10NM60ND |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,360 |
STx13NM60N |
DPAK/TO-220/TO-220FP |
|
0,285 |
STx18NM60N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,220 |
STx22NM60N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,190 |
STx24NM60N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,165 |
STx26NM60N |
D2PAK-TO-247-TO-220/FP |
|
0,105 |
STX34NM60N |
D2PAK-TO-247-TO-220FP |
|
0,110 |
STx34NM60ND |
TO-247-TO-220 |
|
0,070 |
STW48NM60N |
TO-247 |
|
0,060 |
STW56NM60N |
TO-247 |
|
0,049 |
STW62NM60N |
TO-247 |
|
0,029 |
STY100NM60N |
Max247 |
|
650 |
0,410 |
STx11NM65N |
TO220/FP/DPAK |
|
0,350 |
STx15NM65N |
TO-220 |
|
0,250 |
STx20NM65N |
TO-220 |
Таблица 3. Параметры
транзисторов технологии MDmesh V
Максимальное
напряжение, UDSS, В |
Максимальное напряжение открытого канала, RDS(ON),
Ом |
Наименование |
Максимальный
постоянный ток, Id, А |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
550 |
0,080 |
STx36N55M5 |
29 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK |
|
0,100 |
STx32N55M5 |
25 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 |
|
0,240 |
STx18N55M5 |
14 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK |
|
650 |
0,017 |
STY139N65M5 |
130 |
Max247 |
|
0,029 |
STx88N65M5 |
84 |
TO-247 |
|
0,045 |
STW69N65M5 |
60 |
TO-247/TO-3P |
|
0,059 |
STx60N65M5 |
45 |
TO-247/TO-3PF |
|
0,063 |
STx57N65M5 |
42 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 |
|
0,078 |
STx45N65M5 |
31 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 |
|
0,110 |
STx34N65M5 |
29 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 |
|
0,148 |
STx31N65M5 |
22 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFP/TO-247 |
|
0,190 |
STx20N65M5 |
18 |
TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/TO-247 |
|
0,220 |
STx18N65M5 |
15 |
TO-220/TO-220FP/D2PAK/DPAK |
|
0,340 |
STx15N65M5 |
11 |
TO-220/TO-220FP/I2PAKFP/DPAK |
|
0,480 |
STx11N65M5 |
9 |
TO-220/TO-220FP/I2PAK/DPAK/IPAK |
|
1,200 |
STL3N65M5 |
2.5 |
PowerFLAT |
Таблица 4. Параметры
транзисторов технологии FDmesh II с диодами с малым временем
восстановления
Максимальное
напряжение,
UDSS, В |
Максимальное напряжение
открытого канала,
RDS(ON),
Ом |
Максимальный заряд паразитной
емкости диода, Qrr, мкКл |
Наименование |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
500 |
0,380 |
<1 |
STx12NM50ND |
DPAK/D2PAK |
|
600 |
0,700 |
<1 |
STx8NM60ND |
DPAK/TO-220/FP |
|
0,450 |
<1 |
STx11NM60ND |
DPAK/TO-220/FP |
|
0,299 |
<1 |
STx15NM60ND |
D2PAK/TO-220/TO-247 |
|
0,220 |
<1 |
STx21NM60ND |
D2PAK/TO-220/TO-247 |
|
0,180 |
<2 |
STx23NM60ND |
D2PAK/TO-220/TO-247 |
|
0,160 |
<2 |
STx25NM60ND |
D2PAK/TO-220/TO-247 |
|
0,130 |
<2 |
STx30NM60ND |
D2PAK/TO-220/FP/TO-247 |
|
0,110 |
<2 |
STx34NM60ND |
TO-220/TO-247 |
|
0,088 |
<2 |
STx43NM60ND |
D2PAK/TO-220/FP/TO-247 |
|
0,060 |
<2 |
STW55NM60ND |
TO-247 |
|
0,085 |
<2 |
STW48NM60ND |
TO-247 |
|
0,060 |
<2 |
STW56NM60ND |
TO-247 |
|
650 |
0,067 |
<2 |
STW53NM65ND |
TO-247 |
|
0,065 |
<2 |
STW54NM65ND |
TO-247 |
|
0,057 |
<2 |
STW62NM65ND |
TO-247 |
Таблица
5. Параметры
транзисторов технологии FDmesh V с диодами с малым временем
восстановления
Максимальное
напряжение, UDSS, В |
Максимальное напряжение открытого канала, RDS(ON),
Ом |
Наименование |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
650 |
0,031 |
STW88N65DM5 |
TO-247 |
|
0,085 |
STP/W/B57N65DM5 |
D2PAK/TO-220/TO-247 |
|
0,230 |
STD18N65DM5 |
DPAK/TO-220FP/TO-220 |
Таблица
6. Параметры
высоковольтных транзисторов VHV
Максимальное
напряжение, UDSS, В |
Наименование |
Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
1500 |
STW9N150 |
2,5 |
TO-247 |
|
STx4N150 |
7 |
TO-247/TO-3PF/TO-220/H2PAK |
|
STx3N150 |
9 |
TO-247/TO-3PF/TO-220/H2PAK |
|
1700 |
STx3N170* |
13 |
TO-247/TO-3PF/TO-220 |
Таблица 7. Высоковольтные
транзисторы SuperMesh V
Максимальное
напряжение, UDSS, В |
Максимальное напряжение
открытого канала, RDS(ON), Ом |
Наименование |
Тип корпуса |
|
купить - жми
ссылку на компонент |
|
800 |
1,2 |
STx7N80K5 |
TO-220/FP/DPAK/PowerFLAT |
|
|
0,95 |
STx8N80K5 |
TO-220/FP/I2PAKFP/DPAK/PowerFLAT |
|
|
0,375 |
STx12N80K5 |
TO-220/FP/D2PAK/TO-247 |
|
|
0,260 |
STx25N80K5 |
TO-220/TO-220FP/TO-247 |
|
850 |
0,275 |
STx23N85K5 |
PowerFLAT/TO-247 |
|
900 |
0,299 |
STx21N90K5 |
TO-220/TO-220FP/TO-247/D2PAK |
|
950 |
1,25 |
STx6N95K5 |
IPAK/DPAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 |
|
|
0,330 |
STx20N95K5 |
TO-220/TO-220FP/TO-247/D2PAK |
|
1200 |
0,690 |
STx12N120K5 |
TO-220/TO-3PF/TO-247 |
Для некоторых серий одного и того же эшелона напряжений и токов
сопротивление канала транзисторов технологии MDmeshV оказывается
существенно ниже, что при прямой замене аналогичных по напряжению и токам
транзисторов может дать неплохой выигрыш за счет сокращения потерь
проводимости. Помимо этого, транзисторы технологии MDmesh V обладают
меньшими потерями на переключение по сравнению с аналогами.
Применение в отладочной плате транзистора STW88N65M5 дает
прирост эффективности на несколько десятых процента (цифра может
показаться малой, но речь идет о мощностях 500...2000 Вт, и при длительной
непрерывной работе экономия будет ощутимой). Что не менее важно, снижается
рабочая температура транзистора при работе под нагрузкой. Особенно это
заметно при больших мощностях.
Транзисторы технологии FDmesh разработаны специально для схем мостовых
преобразователей, выпрямителей и прекрасно подходят для импульсных
высокочастотных схем. Обладают малым временем восстановления диода,
высокой скоростью нарастания напряжения на выходе (dU/dt).
Одним из примеров таких схем является схема инверторов для солнечных
батарей.
Транзисторы технологии FDmesh V рассчитаны на применение в импульсных
источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, в том числе -
в источниках альтернативной энергии (ветрогенераторы, солнечные батареи).
Высоковольтные транзисторы технологии SuperMesh V при крайне низком
сопротивлении канала обладают рабочими напряжениями до 1200 В. Доступен
широкий выбор компактных корпусов, в том числе - корпусов для
поверхностного монтажа, включая новые корпуса FlatPOWER.
|
