КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRLMS2002TRPBF MOSFET транзистор: N-канал, 20 В, 45 мОм
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TSOP6 код товара: 00-00032394
СКАЧАТЬ PDF
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Производитель |
Infineon |
Продукт |
МОП-транзистор |
Монтаж |
SMD/SMT |
Корпус |
TSOP-6 |
Полярность
транзистора |
N-канальный |
Количество каналов |
1 канал |
Vds — напряжение
пробоя сток-исток |
20 В |
Id — сток
постоянного тока |
6,5 А |
Rds включен —
сопротивление сток-исток |
30 мОм |
Vgs — напряжение
затвор-исток |
— 12 В, + 12 В |
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
1,2 В |
Qg - заряд затвора |
15 нКл |
Минимальная рабочая
температура |
- 55 С. |
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 С |
Pd - потери мощности |
2 Вт |
Время спада |
16 нс |
Время нарастания |
11 нс |
Время задержки
отключения управления |
36 нс |
Типичное время
задержки включения |
8,5 нс |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП