КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
|
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET IRL3716PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 20 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4...4.8 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ... Производитель: IR Тип корпуса: TO-220AB код товара: 00-00032329
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
International Rectifier Corporation -
Общепризнанный мировой лидер в разработке и производстве силовых
полупроводниковых компонентов. Номенклатура изделий International
Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко
используется независимыми производителями. |
Тип полевого
транзистора |
N-канал |
Продукт |
МОП-транзистор
|
Напряжение
сток-исток (Vdss) |
20 В |
Ток — непрерывный,
слив (Id) при 25°C |
180А (Тс) |
Рабочее напряжение
(макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) |
4,5 В, 10 В |
Rds(On) (Макс.) при
Id, Vgs |
4мОм при 90А, 10В |
Vgs(th) (макс.) при
Id |
3 В при 250 мкА |
Плата за ворота (Qg)
(Макс.) при Vgs |
79 нК при 4,5 В |
ВГС (Макс.) |
±20 В |
Входная емкость (Цисс.)
(макс.) при Vds |
5090пФ при 10 В |
Потеря мощности
(макс.) |
210 Вт (TC) |
Рабочая температура |
От -55°C до 175°C
(ТДж) |
Корпус |
TO-220AB |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IR MOSFET N-Канал
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International
Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов
привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое
сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические
характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях,
пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое
последнее время. |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП