КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
Серии источников питания HDR на DIN рейку с
ультра-узкой формой корпуса и полным диапазоном входного напряжения
100-240 В переменного тока 15, 30, 60, 100, 150 Ватт
HDR-15
HDR-30
HDR-60
HDR-100
HDR-150
|
|
|
|
| | | Нажми на картинку, чтобы увеличить ее Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор IGBT IRGB20B60PD1PBF IGBT: 600 В, 20 А
На складе ... Производитель: INFIN Тип корпуса: TO-220AB код товара: 00-00032767
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел: Транзистор IGBT
| | | |
|
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
Производитель |
Infineon |
Продукт |
IGBT-транзисторы |
Корпус |
ТО-220-3 |
Монтаж |
Сквозное
отверстие |
Конфигурация |
Одиночная |
Напряжение
коллектор-эмиттер VCEO Макс. |
600 В |
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер |
2,05 В |
Максимальное
напряжение затвор-эмиттер |
- 20 В, + 20 В |
Непрерывный ток
коллектора при 25 C |
40 А |
Pd — Рассеиваемая
мощность |
215 Вт |
Минимальная рабочая
температура |
- 55 С. |
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 С |
Непрерывный ток
коллектора Ic Макс. |
40 А |
Ток утечки
затвор-эмиттер |
100 нА |
| | |
Транзисторы
производства International Rectifier.
Компания International Rectifier (IR) является общепризнанным
мировым лидером по производству электронных компонентов для
преобразователей питания, электроприводов и других силовых узлов.
Номенклатура изделий IR стала де-факто стандартом силовой
электроники и широко используется независимыми производителями. |
|
Транзистор IGBT Пластиковые
Транзистор IGBT производства IR
IGBT транзистор - (Insulated Gate Bipolar Transistor)
представляет собой интегральную монолитную структуру, которая
симулирует комбинацию биполярного и полевого транзистора.
Преимуществом подобной структуры является простота управления
полевым транзистором (управление напряжением) и низкое падение
напряжения в состоянии проводимости у биполярного транзистора |
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх DIV >
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП