Категория продукта

 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель

 ON Semiconductor

Технология

 Si

Корпус

 TO-247-3

Вид монтажа

 Through Hole

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 2.45 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

 +/- 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

 21 A

Pd - рассеивание мощности

 167 W

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Серия

 HGTG5N120BND

Непрерывный коллекторный ток

 21 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

 21 A

Ток утечки затвор-эмиттер

 +/- 250 nA

Высота

 20.82 mm

Длина

 15.87 mm

Ширина

 4.82 mm

Другие названия товара №

 HGTG5N120BND_NL