Каталог продукции от CRMICRO - MOSFET, IGBT
Компания является ведущим китайским предприятием по производству полупроводников, способным комплексно выполнять всю производственную цепочку, такую ​​как проектирование интегральных схем, производство пластин, испытания корпусов и так далее. В настоящее время основной бизнес можно поделить на два сектора: продукты и решения, создание и сервисы. Компания может самостоятельно разрабатывать продукцию и контролировать производственный процесс. Кроме того, компания обладает сильными возможностями в области технологии и производственного процесса в области дискретных устройств и интегральных схем.

Рассеиваемая мощность (Pd)

 333 Вт

Время задержки выключения (Td(off))

 238нс

Время задержки включения (Td(on))

 77нс

Ток коллектора (Ic)

80А

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vces)

 1,2 кВ

Пороговое напряжение затвор-эмиттер (Vge(th)@Ic)

 6В@250мкА

Полный заряд затвора (Qg@Ic,Vge)

208нКл@40А,15В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)@Ic,Vge)

 1.9В@10А,15В

Время обратного восстановления диода (Trr)

 80нс

Потери при выключении (Eoff)

 1,5 мДж

Потери при включении (Eon)

 2,8 мДж

Входная емкость (Cies@Vce)

6,618 нФ при 25 В

Прямое напряжение диода (Vf@If)

2.4В@20А