|
КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина
|
 |
| | | | 
Нажми на картинку, чтобы увеличить ее
Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия | Транзистор полевой MOSFET
BSP129H6327XTSA1
MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 240 В: Iс(25°C): 350 мА: Rси(вкл): 4.2 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
На складе ...
Производитель: INFIN
Тип корпуса: SOT-223
код товара: 00-00031562
Кол-во | Цена без НДС, грн | Купить |
| Раздел:
Транзистор полевой MOSFET
| | | |
|
 |
Infineon Technologies AG - крупнейший представитель
полупроводниковых технологий в европейской индустрии. Основная продукция
Infineon – это силовые компоненты: MOSFET транзисторы (являющиеся
лучшими в отрасли), IGBT-транзисторы и IGBT модули, в том числе со
встроенными управляющими цепями, интеллектуальные ключи, драйверы и
другие интегральные микросхемы с уникальной высоковольтной технологией,
твердотельные реле, высокомощные тиристоры, диоды и другое.
|
|
Категория продукта |
МОП-транзистор
|
|
Производитель |
Infineon
|
|
Вид монтажа |
SMD/SMT
|
|
Корпус |
SOT-223-4
|
|
Количество каналов |
1 Channel
|
|
Полярность
транзистора |
N-Channel
|
|
Vds - напряжение
пробоя сток-исток |
240 V
|
|
Id - непрерывный ток
утечки |
350 mA
|
|
Rds Вкл -
сопротивление сток-исток |
4.2 Ohms
|
|
Vgs th - пороговое
напряжение затвор-исток |
- 2.1 V
|
|
Vgs - напряжение
затвор-исток |
20 V |
|
Qg - заряд затвора |
5.7 nC
|
|
Минимальная рабочая
температура |
- 55 C
|
|
Максимальная рабочая
температура |
+ 150 C
|
|
Конфигурация |
Single
|
|
Квалификация |
AEC-Q100
|
|
Канальный режим |
Depletion
|
|
Торговая марка |
Infineon
Technologies |
|
Время спада |
35 ns
|
|
Крутизна
характеристики прямой передачи - Мин. |
180 mS
|
|
Высота |
1.6 mm
|
|
Длина |
6.5 mm
|
|
Pd - рассеивание
мощности |
1.8 W
|
|
Время нарастания |
4.1 ns
|
|
Серия |
BSP129
|
|
Тип транзистора |
1 N-Channel
|
|
Типичное время
задержки выключения |
22 ns
|
|
Типичное время
задержки при включении |
4.4 ns
|
|
Ширина |
3.5 mm
|
|
Другие названия
товара № |
BSP129 H6327
SP001058580 |
| | |
|
 |
Транзистор полевой MOSFET
Полевой транзистор
с изолированным затвором.
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor (Металл-Оксид-Полупроводник
Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим
полем). Это полевой транзистор, затвор
которого электрически изолирован от проводящего канала
полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора
очень высокое входное сопротивление. |
Транзистор IGBT Пластиковые
|
Поставляемые компоненты
|
^ Наверх
радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод,
комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи
источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение,
аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин,
интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары
почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты,
украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП
.jpg)
