КОСМОДРОМ - Электронные компоненты для разработки и производства - Харьков - Украина


 


Как купить...     


 

 

EnglishRussianUkrainian

Обратите внимание: запущена новая версия сайта

Перейти в корзину

  

Нажми на картинку, чтобы увеличить ее


Фото может отличаться от реального вида предмета, но это не влияет на основные характеристики изделия
Транзистор биполярный
BD435
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 3 МГц, 36 Вт, 4 А, 140 hFE

На складе ...
Производитель: CDIL
Тип корпуса: TO-126
код товара: 00-00031465

Кол-во

Цена без НДС, грн

Купить

от 1 шт
от 51 шт
от 220 шт

11,50
9,78
9,11

Раздел:
Транзистор биполярный


 

Производитель

 STMicroelectronics

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

 Single

Полярность транзистора

 NPN

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 32 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 0.2 V

Максимальный постоянный ток коллектора

 4 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 3 MHz

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Вид монтажа

 SMD/SMT

Корпус

 SOT-32

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 40

Максимальное рассеяние мощности

 36 W

Минимальная рабочая температура

 - 65 C

 
 



Самый большой выбор MOSFET-транзисторов от International Rectifier

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Транзисторы производства STMicroelectronics.
STMicroelectronics — европейская микроэлектронная компания, одна из крупнейших, занимающихся разработкой, изготовлением и продажей различных полупроводниковых электронных и микроэлектронных компонентов.

Биполярные транзисторы NPN
Биполярные транзисторы PNP

Транзисторы MOSFET
Транзисторы IGBT

Транзисторы RF силовые


Полный перечень транзисторов STM

Транзистор биполярный NPN производства STM
Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Работа биполярных транзисторов основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок. Одну из крайних областей транзисторной структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода. NPN транзисторы открываются напряжением положительной полярности.


Поставляемые компоненты











^ Наверх

Электронные компоненты для разработки и производства. Харьков, Украина

  Украинский хостинг - UNIX хостинг & ASP хостинг

радиошоп, radioshop, радио, радиодетали, микросхемы, интернет, завод, комплектующие, компоненты, микросхемы жки индикаторы светодиоды семисегментные датчики влажности преобразователи источники питания тиристор симистор драйвер транзистор, диод, книга, приложение, аудио, видео, аппаратура, ремонт, антенны, почта, заказ, магазин, интернет - магазин, товары-почтой, почтовые услуги, товары, почтой, товары почтой, каталог, магазин, Internet shop, база данных, инструменты, компоненты, украина, харьков, фирма Космодром kosmodrom поставщики электронных компонентов дюралайт edison opto светодиодное освещение Интернет-магазин радиодеталей г.Харьков CREE ATMEL ANALOG DEVICES АЦП ЦАП