Производитель

 Nexperia

Категория продукта

 Биполярные транзисторы - BJT

Вид монтажа

 SMD/SMT

Тип корпуса

 SOT-23-3

Полярность транзистора

 NPN

Конфигурация

 Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 600 mV

Максимальный постоянный ток коллектора

 500 mA

Pd - рассеивание мощности

 250 mW

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 170 MHz

Рабочая температура

 - 55 C ... + 150 C

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 40 at 500 mA, 10 V, 85 at 150 mA, 10 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 40 at 500 mA, 10 V

Технология

 Si