Конфигурация

 Single

Полярность транзистора

 NPN

Напряжение коллектор-база (VCBO)

 60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 750 mV

Максимальный постоянный ток коллектора

 600 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

 250 MHz

Максимальная рабочая температура

 + 150 C

Вид монтажа

 Through Hole

Тип корпуса

 TO-92-3

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

 20 at 500 mA, 2 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

 20

Минимальная рабочая температура

 - 55 C

Pd - рассеивание мощности

 625 mW